[发明专利]离子注入中的增强型低能离子束传输有效
| 申请号： | 201080005105.6 | 申请日： | 2010-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN102292792A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 伯·范德伯格;威廉·迪韦尔吉利奥 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴敬莲 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种离子注入方法和系统包括束中和以减轻束散，该束散在低能大电流离子束中可能是特别有问题的。束中和部件可以位于其中扩大可能发生的系统中。中和部件包括变化的激励场产生部件，其产生中和离子束的等离子体，由此减轻束散。以变化的频率和/或场强度产生激励场，以维持中和等离子体，同时减轻降低中和等离子体的作用的等离子体壳层的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 中的 增强 低能 离子束 传输 | ||
【主权项】：
一种用在离子注入系统内的低能束线中的等离子体发生器，包括：等离子体激励部件，配置成在放电阶段期间的预定时间内在所述激励部件附近产生电场；控制器，配置成在所述放电阶段的预定时间内激活所述激励部件，并在余辉阶段中使所述激励部件停止。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾克塞利斯科技公司，未经艾克塞利斯科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080005105.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
