[发明专利]与金属锗硅材料接合的衬底有效
| 申请号： | 201080005182.1 | 申请日： | 2010-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102292280A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 鲁本·B·蒙特兹;亚历克斯·P·帕马塔特 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李宝泉;周亚荣 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种用于将第一衬底(103)接合至第二衬底(303)的方法包括在第一衬底之上形成包括金属的层。在一个实施例中，包括金属的层包围半导体器件，其可为微电子机械系统(MEMS)器件。在第二衬底(303)上，形成包括硅(401)的第一层。在第一层上形成包括锗和硅的第二层(403)。在第二层上形成包括锗的第三层(405)。使得第三层与包括金属的层接触。向第三层和包括金属的层施加热量(一些实施例中还有压力)，以在第一衬底和第二衬底之间形成机械接合材料，其中，机械接合材料是导电性的。在机械接合物包围诸如MEMS的半导体器件的情况下，机械接合物用作保护MEMS的气密性密封是特别有利的。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 材料 接合 衬底 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在第一衬底之上形成包括金属的层；提供第二衬底；形成由所述第二衬底支撑的包括硅的第一层；在所述第一层上形成包括锗和硅的第二层；在所述第二层上形成包括锗的第三层；使得所述第三层和所述包括金属的层接触；以及在使得所述第三层和所述包括金属的层接触之后，在所述第一衬底和所述第二衬底之间形成机械接合材料，其中，形成机械接合材料包括向所述第三层和所述包括金属的层施加热量，其中，所述接合材料包括所述包括金属的层的金属和所述第三层的材料。
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