[发明专利]非易失性存储元件、非易失性存储装置、非易失性半导体装置和非易失性存储元件的制造方法

摘要

本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(105)；和电阻变化层(104)，其位于第一电极(103)与第二电极(105)之间，电阻值根据施加在两个电极(103、105)之间的电信号可逆地变化，该电阻变化层(104)由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层(107)和含有含氧率与第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层(108)层叠构成，并且当将第一钽氧化物表示为TaOx时满足0＜x＜2.5，当将第二钽氧化物表示为TaOy时满足x＜y≤2.5，第二电极(105)与第二钽氧化物层(108)接触，并且第二电极(105)由铂和钽构成。

主权项

一种非易失性存储元件，其特征在于，包括：第一电极；第二电极；和电阻变化层，其位于所述第一电极和所述第二电极之间，电阻值根据施加在所述第一电极和所述第二电极之间的电信号可逆地变化，所述电阻变化层由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层和含有含氧率与所述第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层层叠构成，并且当将所述第一钽氧化物表示为TaOx时满足0＜x＜2.5，当将所述第二钽氧化物表示为TaOy时满足x＜y≤2.5，所述第二电极与所述第二钽氧化物层接触，并且所述第二电极由铂和钽构成。