[发明专利]三轴磁场传感器有效
| 申请号： | 201080005490.4 | 申请日： | 2010-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102292773A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | P·马瑟;J·斯劳特;N·里佐 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G11C5/12 | 分类号： | G11C5/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 三个电桥电路(101、111、121)每一均包括耦合成惠斯通电桥(100)的磁电阻传感器，以在三个正交方向(110、120、130)上感测磁场(160)，它们是通过单个钉扎材料淀积和体晶片设定工序来设定的。三个电桥电路中的一个(121)包括第一磁电阻传感器(141)，其包括：第一感测元件(122)，设置在钉扎层(126)上，第一感测元件(122)具有第一和第二边缘以及第一和第二面；以及第一通量引导件(132)，设置为与衬底的第一面不平行，并且具有接近第一感测元件(122)的第一边缘和第一面的末端。可选的第二通量引导件(136)可以被设置为与衬底的第一面不平行，并且具有接近第一感测元件(122)的第二边缘和第二面的末端。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于铁磁薄膜的磁场传感器，包括：衬底，具有平坦表面；以及第一磁电阻传感器，包括：第一感测元件，具有与所述衬底的所述平坦表面平行的第一面，所述第一感测元件具有与所述第一面相反的第二面，并且具有第一和第二相反的边缘；以及第一通量引导件，设置为与所述第一感测元件的第一面不平行，并且具有接近所述第一感测元件的第一边缘和第一面的末端。
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