[发明专利]Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体受光元件、制作Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体受光元件的方法、受光元件及外延晶片

摘要

本发明提供一种III-V族化合物半导体受光元件，其具有含有含Sb作为V族构成元素的III-V化合物半导体层的受光层及n型InP窗层，且可减少暗电流。由于受光层(21)的GaAsSb层成长时所供给的锑的记忆效应，所以成长在受光层(21)上的InP层(23)中含有锑作为杂质。在III-V族化合物半导体受光元件(11)中，InP层(23)含有锑作为杂质，并且在InP层(23)中添加有硅作为n型掺杂剂。虽然InP层(23)中的锑杂质以生成空穴的方式作用，但添加至InP层(23)中的硅补偿该生成载体，从而InP层(23)的第二部分(23d)表现充分的n导电性。

主权项

一种III‑V族化合物半导体受光元件，其特征在于，具备：半导体衬底，具有主面；受光层，设置在上述半导体衬底的上述主面上；InP层，设置在上述受光层上，具有第一及第二部分；及阳极区域，包含自上述InP层的上述第一部分的表面朝上述受光层的方向延伸的p型半导体，上述受光层的带隙小于InP的带隙，上述InP层中添加有n型掺杂剂，上述InP层的上述第二部分中的多数载体为电子，上述InP层的上述第二部分中的电子浓度为1×1016cm‑3以上。