[发明专利]半导体基板的制造方法及半导体基板无效
| 申请号： | 201080005574.8 | 申请日： | 2010-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102301452A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 秦淳也;中野强 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 包括：在反应容器内部设置基底基板(base??wafer)的阶段；以及对上述反应容器供给由3族元素的有机金属化合物构成的3族原料气、由5族元素构成的5族原料气体、及在半导体内被掺杂含施主杂质的杂质气体，在基底基板上使p型3-5族化合物半导体外延生长的阶段；其中，使p型3-5族化合物半导体在基底基板上结晶外延生长的阶段中，将杂质气体的流量、以及5族原料气体相对于3族原料气体的流量比设定成p型3-5族化合物半导体的残留载流子浓度N(cm-3)及厚度d(cm)的积N×d(cm-2)为8.0×1011以下的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体基板的制造方法，包括：在反应容器内部设置基底基板的阶段；以及在所述反应容器内部供给由3族元素的有机金属化合物构成的3族原料气体、由含有5族元素的化合物构成的5族原料气体、以及含有被掺杂在半导体内成为施主的杂质的杂质气体，在所述基底基板上使p型3 5族化合物半导体结晶外延生长的阶段，其中，在所述基底基板上使所述p型3 5族化合物半导体外延生长的阶段中，以使所述p型3 5族化合物半导体的残留载流子浓度N(cm 3)及厚度d(cm)的积N×d(cm 2)成为8.0×1011以下的方式，设定所述杂质气体的流量、以及所述5族原料气体相对于所述3族原料气体的流量比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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