[发明专利]用于检测晶片上的缺陷的系统和方法有效
| 申请号： | 201080005635.0 | 申请日： | 2010-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN102292805A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | L·陈;J·柯克伍德;M·马哈德凡;J·A·史密斯;L·高;J·黄;T·罗;R·沃林福德 | 申请（专利权）人： | 恪纳腾公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 11269 | 代理人： | 严慎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种检测晶片上的缺陷的系统和方法。一种方法包括通过用检查系统使用所述检查系统的第一光学状态和第二光学状态扫描所述晶片来针对晶片产生输出。所述第一光学状态和所述第二光学状态由所述检查系统的至少一个光学参数的不同值来限定。所述方法还包括使用利用所述第一光学状态产生的输出针对所述晶片产生第一图像数据并且使用利用所述第二光学状态产生的输出针对所述晶片产生第二图像数据。另外，所述方法包括组合对应于所述晶片上基本相同位置的所述第一图像数据和所述第二图像数据，由此针对所述晶片产生额外图像数据。所述方法还包括使用所述额外图像数据检测所述晶片上的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 晶片 缺陷 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种检测晶片上的缺陷的方法，所述方法包括：通过用检查系统使用所述检查系统的第一光学状态和第二光学状态扫描晶片来针对所述晶片产生输出，其中所述第一光学状态和所述第二光学状态由所述检查系统的至少一个光学参数的不同值来限定；使用利用所述第一光学状态产生的输出针对所述晶片产生第一图像数据并且使用利用所述第二光学状态产生的输出针对所述晶片产生第二图像数据；组合对应于所述晶片上基本相同位置的所述第一图像数据和所述第二图像数据，由此针对所述晶片产生额外图像数据；以及使用所述额外图像数据检测所述晶片上的缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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