[发明专利]光生伏打模块和制造具有级联半导体层堆叠的光生伏打模块的方法

摘要

提供了一种单片集成光生伏打模块。该模块包括绝缘衬底和位于衬底之上的下电极。该模块还包括：下电极之上的微晶硅层的下堆叠；下堆叠之上的非晶硅层的上堆叠；以及上堆叠之上的上电极。硅层的上堆叠和下堆叠具有不同的能带隙。该模块还包括在硅层的下堆叠和上堆叠中从下电极到上电极垂直延伸的内置旁路二极管。该内置旁路二极管包括下堆叠和上堆叠的多个部分，该多个部分的结晶比例大于下堆叠和上堆叠的其余部分的结晶比例。

主权项

一种单片集成光生伏打模块，包括：绝缘衬底；位于衬底之上的下电极；位于下电极之上的微晶硅层的下堆叠；位于微晶硅层的下堆叠之上的非晶硅层的上堆叠，上堆叠和下堆叠具有不同的能带隙；位于非晶硅层的上堆叠之上的上电极；以及在微晶硅层的下堆叠和非晶硅层的上堆叠中从下电极到上电极垂直延伸的内置旁路二极管，所述内置旁路二极管包括微晶硅层的下堆叠和非晶硅层的上堆叠的多个部分，该多个部分的结晶比例大于微晶硅层的下堆叠和非晶硅层的上堆叠的其余部分的结晶比例。