[发明专利]用于悬浮和细化纳米线的无掩模制程无效
| 申请号： | 201080006114.7 | 申请日： | 2010-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102301482A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | S·邦萨伦提普;G·科恩;J·W·斯雷特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了基于半导体的电子器件及其制造技术。在本发明的一个方面中，提供了一种器件，包含：第一垫体；第二垫体；以及多个纳米线，以形成在掩埋氧化物(BOX)层之上的绝缘体上硅(SOI)层中的梯状配置连接所述第一垫体与所述第二垫体，所述纳米线具有通过将硅从所述纳米线重新分布至所述垫体而限定的一个或多个尺寸。所述器件可包含场效晶体管(FET)，其具有环绕纳米线的栅极，其中所述纳米线的由所述栅极所环绕的部分形成所述FET的沟道，所述第一垫体和所述纳米线的从与所述第一垫体邻近的所述栅极向外延伸的部分形成所述FET的源极区域，而所述第二垫体和所述纳米线的从与所述第二垫体邻近的所述栅极向外延伸的部分形成所述FET的漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 悬浮 细化 纳米 无掩模制程 | ||
【主权项】：
一种器件，包含：第一垫体；第二垫体；以及多个纳米线，以形成在掩埋氧化物(BOX)层之上的绝缘体上硅(SOI)层中的梯状配置连接所述第一垫体与所述第二垫体，所述纳米线具有通过将硅从所述纳米线重新分布至所述垫体而限定的一个或多个尺寸。
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