[发明专利]集成压控振荡器电路有效
申请号: | 201080006271.8 | 申请日: | 2010-02-02 |
公开(公告)号: | CN102301587B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 维普尔·查瓦拉;王沈 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03B5/12 | 分类号: | H03B5/12 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及用于提供具有改进的相位噪声性能及较低功耗的压控振荡器电路的技术。在示范性实施例中,压控振荡器(VCO)耦合到混频器或例如二分频电路等分频器。所述VCO包括具有磁性交叉耦合的电感器的晶体管对,以及耦合到所述晶体管对的栅极的可变电容。在示范性实施例中,分频器经配置以对流经所述晶体管对的差分电流的频率进行分频以产生LO输出。在替代示范性实施例中,混频器经配置以对流经所述晶体管对的所述差分电流与另一信号进行混频。所述VCO与混频器或分频器共享共用的偏压电流,借此减少功耗。本发明揭示利用这些技术的各种示范性设备及方法。 | ||
搜索关键词: | 集成 压控振荡器 电路 | ||
【主权项】:
一种包含耦合到混频器的压控振荡器VCO的设备,所述VCO包含:第一晶体管,其经配置以由第一偏压电流来加DC偏压;第二晶体管,其经配置以由第二偏压电流来加DC偏压;至少一个栅极电感,其将所述第一晶体管的栅极耦合到所述第二晶体管的栅极;第一漏极电感,其以磁性方式耦合到所述至少一个栅极电感,所述第一漏极电感耦合到所述第一晶体管的漏极;第二漏极电感,其以磁性方式耦合到所述至少一个栅极电感,所述第二漏极电感耦合到所述第二晶体管的漏极;以及至少一个可变电容,其将所述第一晶体管的所述栅极耦合到所述第二晶体管的所述栅极;所述混频器包含分别耦合到所述第一及第二漏极电感的第一及第二输入节点,所述混频器经配置以由所述第一及第二偏压电流来加偏压,所述至少一个栅极电感由初级线圈形成,所述第一及第二漏极电感由两个次级线圈形成,所述两个次级线圈安放在所述初级线圈内,其中所述第一漏极电感和所述第二漏极电感分别为混频器提供差分电流输入。
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