[发明专利]使用穿硅通孔的改进的光伏电池效率无效
申请号: | 201080006662.X | 申请日: | 2010-02-18 |
公开(公告)号: | CN102308392A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 托马斯·R·汤姆斯;顾时群 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种光伏电池包括具有第一节点和第二节点的光伏层。第一传导层电耦合到所述光伏层的所述第二节点,使得所述第一传导层不阻挡光到达所述光伏层。第二传导层邻近于所述第一传导层但与所述第一传导层电绝缘,使得所述第二传导层定位于其不阻挡光到达所述光伏层的地方。至少一个穿硅通孔电耦合到所述光伏层的所述第一节点和所述第二传导层,但与所述光伏层和所述第一传导层的至少一部分电绝缘。 | ||
搜索关键词: | 使用 穿硅通孔 改进 电池 效率 | ||
【主权项】:
一种光伏电池,其包含:光伏层,其具有第一节点和第二节点;第一传导层,其电耦合到所述光伏层的所述第一节点,使得所述第一传导层不阻挡光到达所述光伏层;第二传导层,其邻近于所述第一传导层但与所述第一传导层电绝缘,所述第二传导层经定位以使得所述第二传导层不阻挡光到达所述光伏层;以及至少一个穿硅通孔,其电耦合到所述光伏层的所述第一节点和所述第二传导层两者,所述穿硅通孔与所述光伏层和所述第一传导层的至少一部分电绝缘。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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