[发明专利]半导体处理室中减少污染的方法及其装置有效
申请号: | 201080006839.6 | 申请日: | 2010-01-05 |
公开(公告)号: | CN102308362A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | J·C·瑞德;E·舍罗 | 申请(专利权)人: | ASM美国公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/205 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种半导体处理装置包括反应室、装载室、可移动支撑件、驱动机构及控制系统。反应室包括底板。底板包括开口。可移动支撑件经构造以保持工件。驱动机构经构造以使保持于支撑件上的工件朝向底板的开口移动至处理位置。控制系统经构造以当工件支撑件处于运动中时,在反应室与装载室之间形成正压力梯度。当工件支撑件处于运动中时,净化气体从反应室流入装载室中。控制系统经构造以当处理工件时,在反应室与装载室之间形成负压力梯度。当工件支撑件处于处理位置时,净化气体可从装载室流入反应室中,除非在处理位置中使反应室从装载室密封开。 | ||
搜索关键词: | 半导体 处理 减少 污染 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体处理装置,包括:位于装载室上方的横流反应室,所述装载室与所述横流反应室由包括开口的底板隔开;可移动工件支撑件,其经构造以保持半导体工件;驱动机构,其经构造以使所述工件支撑件在装载位置与处理位置之间移动;以及控制系统,其经构造以当所述工件支撑件移动时,控制所述反应室的压力高于所述装载室的压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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