[发明专利]半导体处理室中减少污染的方法及其装置有效

专利信息
申请号: 201080006839.6 申请日: 2010-01-05
公开(公告)号: CN102308362A 公开(公告)日: 2012-01-04
发明(设计)人: J·C·瑞德;E·舍罗 申请(专利权)人: ASM美国公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/205
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种半导体处理装置包括反应室、装载室、可移动支撑件、驱动机构及控制系统。反应室包括底板。底板包括开口。可移动支撑件经构造以保持工件。驱动机构经构造以使保持于支撑件上的工件朝向底板的开口移动至处理位置。控制系统经构造以当工件支撑件处于运动中时,在反应室与装载室之间形成正压力梯度。当工件支撑件处于运动中时,净化气体从反应室流入装载室中。控制系统经构造以当处理工件时,在反应室与装载室之间形成负压力梯度。当工件支撑件处于处理位置时,净化气体可从装载室流入反应室中,除非在处理位置中使反应室从装载室密封开。
搜索关键词: 半导体 处理 减少 污染 方法 及其 装置
【主权项】:
一种半导体处理装置,包括:位于装载室上方的横流反应室,所述装载室与所述横流反应室由包括开口的底板隔开;可移动工件支撑件,其经构造以保持半导体工件;驱动机构,其经构造以使所述工件支撑件在装载位置与处理位置之间移动;以及控制系统,其经构造以当所述工件支撑件移动时,控制所述反应室的压力高于所述装载室的压力。
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