[发明专利]碳化硅单晶制造用坩埚、以及碳化硅单晶的制造装置和制造方法有效
| 申请号： | 201080006915.3 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102308031A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 胜野正和;藤本辰雄;柘植弘志;中林正史 | 申请（专利权）人： | 新日本制铁株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B23/06;C30B29/36;H01L21/203 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐冰冰;黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅单晶制造用坩埚、以及碳化硅单晶的制造装置和制造方法，能够使结晶性良好的碳化硅单晶块以较高的合格率稳定地成长，是一种碳化硅单晶制造用坩埚，具有收容碳化硅原料的坩埚容器和安装有籽晶的坩埚盖，使坩埚容器内的碳化硅原料升华，对籽晶上供给碳化硅的升华气体，在该籽晶上使碳化硅单晶成长，在坩埚容器和坩埚盖上设有相互螺纹旋合的螺纹部，并且设有通过这些螺纹部的相对旋转而能够调节流量的升华气体排出槽；此外，是具备这样的坩埚的碳化硅单晶的制造装置及使用了该装置的碳化硅单晶的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 坩埚 以及 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶制造用坩埚，具有收容碳化硅原料的坩埚容器和安装有籽晶的坩埚盖，使上述坩埚容器内的碳化硅原料升华，对安装于上述坩埚盖的籽晶上供给碳化硅的升华气体，在该籽晶上使碳化硅单晶成长，该碳化硅单晶制造用坩埚的特征在于，在上述坩埚容器和上述坩埚盖上设有相互螺纹旋合的螺纹部，并且在这些坩埚容器及/或坩埚盖的螺纹部上设有通过这些螺纹部的相对旋转而能够调节流量的升华气体排出槽。
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