[发明专利]用于等离子体工艺的接地回流路径有效

专利信息
申请号: 201080007090.7 申请日: 2010-02-04
公开(公告)号: CN102308675A 公开(公告)日: 2012-01-04
发明(设计)人: 崔寿永;R·L·蒂纳;栗田真一;J·M·怀特;C·A·索伦森;J·A·霍;S·安瓦尔;古田学;稻川真 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H05H1/34 分类号: H05H1/34;H01L21/205
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆嘉
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明描述对在两个电极之间的电流提供电气对称接地或回流路径的方法与设备。该设备包括至少一个射频(RF)装置,该至少一个射频装置耦接至电极中的一个且位于处理腔室的侧壁和/或底部之间。此方法包括相对于另一个电极移动一个电极,并基于该位移电极的位置而使用耦接至侧壁与该电极的RF装置、耦接至该腔室的底部与该电极的RF装置、或其组合中的一者或两者以实现一接地回流路径。
搜索关键词: 用于 等离子体 工艺 接地 回流 路径
【主权项】:
一种用于等离子体处理腔室的射频回流装置,包括:基底,所述基底具有轴,所述轴可动地设置于形成在所述基底中的开口内;弹簧,所述弹簧耦接在所述基底与所述轴之间,所述弹簧包含由金属或金属合金制成的第一材料,所述第一材料在环境温度下的弹性性质与在约200℃或更高处理温度下的弹性性质大体上相同;第二材料,所述第二材料大体上包围所述第一材料,所述第二材料不同于所述第一材料。
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