[发明专利]外延晶片、氮化镓系半导体器件的制作方法、氮化镓系半导体器件及氧化镓晶片有效
| 申请号： | 201080007182.5 | 申请日： | 2010-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN102308370A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 桥本信;秋田胜史;藤原伸介;中幡英章;元木健作 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;株式会社光波 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B29/38;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括：氧化镓支撑基体(32)，具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a)；和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含：低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。通过该倾斜，使在氧化镓支撑基体主面(32a)上外延生长的氮化镓系半导体具有平坦的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 氮化 半导体器件 制作方法 氧化 | ||
【主权项】：
一种外延晶片，用于氮化镓系半导体器件，其特征在于，包括：氧化镓晶片，具有包含单斜晶系氧化镓的主面；缓冲层，设置在所述氧化镓晶片的所述主面上且包含III族氮化物；和第一外延层，设置在所述缓冲层上且包含第一氮化镓系半导体；并且所述氧化镓晶片的所述主面相对于所述单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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