[发明专利]Ⅲ族氮化物器件和电路无效
| 申请号： | 201080007236.8 | 申请日： | 2010-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN102308387A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 吴毅锋;储荣明 | 申请（专利权）人： | 特兰斯夫公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种III族氮化物基高电子迁移率晶体管，其具有连接栅极的接地场板。该连接栅极的接地场板器件可以将密勒电容效应最小化。该晶体管可以形成为高电压耗尽型晶体管并可以与低电压增强型晶体管结合使用，以形成按照单一高电压增强型晶体管操作的组件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 器件 电路 | ||
【主权项】：
一种III‑N族基高电子迁移率晶体管(HEMT)，其包括：一系列III‑N族层，所述一系列III‑N族层形成2DEG沟道；栅电极，所述栅电极位于栅区中的所述一系列III‑N族层的第一侧上；场板，所述场板与所述栅电极电连接并通过电绝缘体与所述III‑N族层隔开；以及地连接，所述地连接电连接于所述场板和所述栅电极，从而形成连接栅极的接地场板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于特兰斯夫公司，未经特兰斯夫公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080007236.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含有封端的巯基硅烷偶联剂的橡胶组合物
- 下一篇：抗IL-1R1结合成员
- 同类专利
- 专利分类
