[发明专利]溅射靶及溅射靶的处理方法无效
| 申请号： | 201080007833.0 | 申请日： | 2010-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102317498A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 大场彰;新田纯一;原田宣宏;金丰;美原康雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 蒋雅洁;孟桂超 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可通过简单处理分离成分金属的溅射靶以及该溅射靶的处理方法。根据本发明的溅射靶的处理方法是通过对连接由作为非氢脆性材料的第1材料组成的第1靶部(3)与由作为氢脆性材料的第2材料组成的第2靶部(4)的溅射靶(1)进行氢脆化处理，从而从溅射靶(1)中分离第2靶部(4)，并回收第2材料和回收第1材料。利用第1材料和第2材料的氢脆性差异，分离、回收第1材料和第2材料。第1材料和第2材料能够得到有效回收。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶的处理方法，其特征在于：通过对连接由作为非氢脆性材料的第1材料组成的第1靶部与由作为氢脆性材料的第2材料组成的第2靶部的溅射靶进行氢脆化处理，从而从该溅射靶中分离该第2靶部；回收该第2材料；回收该第1材料。
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