[发明专利]氮化物系半导体发光元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080008160.0 申请日: 2010-12-07
公开(公告)号: CN102326267A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 横川俊哉;加藤亮 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L33/32 分类号: H01L33/32;H01L21/205
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体发光元件是具有氮化物系半导体层叠结构(50a)的氮化物系半导体发光元件,氮化物系半导体层叠结构(50a)包括:包含AlaInbGacN结晶层(a+b+c=1,a≥0,b≥0,c≥0)的活性层(32);AldGaeN溢出抑制层(36)(d+e=1,d>0,e≥0);和AlfGagN层(38)(f+g=1,f≥0,g≥0,f<d),AldGaeN溢出抑制层(36)设置在活性层(32)与AlfGagN层(38)之间,AldGaeN溢出抑制层(36)包括含有浓度在1×1016atms/cm3以上且8×1018atms/cm3以下的In的层(35)。氮化物系半导体层叠结构(50a)的主面的法线与m面的法线形成的角度在1°以上且5°以下。
搜索关键词: 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种氮化物系半导体发光元件,具有氮化物系半导体层叠结构,其中,所述氮化物系半导体层叠结构包括:包含AlaInbGacN结晶层的活性层,其中,a+b+c=1,a≥0,b≥0,c≥0;AldGaeN溢出抑制层,其中,d+e=1,d>0,e≥0;和AlfGagN层,其中,f+g=1,f≥0,g≥0,f<d;所述AldGaeN溢出抑制层设置在所述活性层与所述AlfGagN层之间;所述AldGaeN溢出抑制层包括含有浓度在1×1016atms/cm3以上且8×1018atms/cm3以下的In的层;所述氮化物系半导体层叠结构的主面的法线和m面的法线形成的角度在1°以上且5°以下。
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