[发明专利]Cu膜的成膜方法和存储介质无效
| 申请号： | 201080008289.1 | 申请日： | 2010-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102341525A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 小岛康彦;桧皮贤治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在腔室(1)内收纳晶片W，在腔室1内以气相状态导入作为1价Cuβ二酮配位化合物的Cu(hfac)TMVS和还原该配位化合物的还原剂，通过CVD法在晶片W上形成Cu膜。 | ||
| 搜索关键词： | cu 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
一种Cu膜的成膜方法，其特征在于，包括：在处理容器内收纳基板的工序；在所述处理容器内以气体状态导入1价Cuβ二酮配位化合物和还原该1价Cuβ二酮配位化合物的还原剂的工序；和在基板上通过所述还原剂还原所述1价Cuβ二酮配位化合物，通过CVD法在基板上沉积Cu，形成Cu膜的工序。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
