[发明专利]动态随机存取存储器(DRAM)刷新无效
| 申请号： | 201080008701.X | 申请日： | 2010-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN102326205A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 佩里·H·派莱伊三世;乔治·P·霍克斯特拉 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C11/401;G06F12/00;G06F1/24 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陆锦华;刘光明 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于刷新动态随机存取存储器(DRAM)(10)的方法，包括步骤：以第一刷新速率对DRAM的至少一个部分(23)进行刷新；以及以第二刷新速率对DRAM的第二部分(24)进行刷新。第二部分(24)包括在第一刷新速率下不满足数据保持标准的DRAM的一个或多个行，且第二刷新速率大于第一刷新速率。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 dram 刷新 | ||
【主权项】：
一种用于刷新动态随机存取存储器(DRAM)的方法，包括：以第一刷新速率对所述DRAM的第一部分执行刷新；以及以第二刷新速率对所述DRAM的第二部分执行刷新，所述第二部分包括在所述第一刷新速率下不满足数据保持标准的所述DRAM的一个或多个行，且其中所述第二刷新速率大于所述第一刷新速率。
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