[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201080008716.6 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102326262A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 长尾宣明;滨田贵裕;伊藤彰宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;C23C16/34;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。在石墨基板上设置无定形碳层，在无定形碳层上通过MOCVD法使AlN的c轴取向膜生长之后，在AlN层上形成GaN的低温生长缓冲层，在低温生长缓冲层上形成n型GaN层，在n型GaN层上形成由InxGa1-xN构成的光吸收层，在光吸收层上形成p型GaN层，在p型GaN层上形成p型GaN接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造太阳能电池的方法，其特征在于：包括下述的工序(a)～工序(e)：通过对石墨基板的表面进行氧灰化，在所述石墨基板的表面形成具有20nm以上60nm以下的厚度的无定形碳层的工序(a)；在所述无定形碳层上通过MOCVD(有机金属化学气相沉积法)形成AlN层的工序(b)；在所述AlN层上形成n型氮化物半导体层的工序(c)；在所述n型氮化物半导体层上形成由氮化物半导体构成的光吸收层的工序(d)；和在所述光吸收层上形成p型氮化物半导体层的工序(e)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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