[发明专利]制造元件的方法

摘要

本发明涉及一种在混合衬底上制造元件的方法。该方法包括以下步骤：提供绝缘体上半导体(SeOI)类型的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和薄层(13)之间的掩埋氧化物层(12)，在所述衬底(1)中形成多个沟道(3，3’)，该沟道在所述薄层(13)的自由表面(130)上开口，并且在穿过所述薄层(13)和所述掩埋氧化物层(12)的深度上延伸，所述初级沟道(3，3’)界定所述SeOI衬底(1)的至少一个岛(30)，在所述初级沟道(3，3’)的内部形成掩模(4)，并作为覆盖所述薄层(13)的所述自由表面(130)的位于所述岛(30)的外部的区的层，接着进行热处理，用于分解所述岛(30)上出现的掩埋氧化物层，从而减小其厚度。

主权项

一种在所谓“混合”衬底(1’)上制造电子、光学和/或光电子元件的方法，所述混合衬底(1’)包括第一绝缘体上半导体区(100)、称为“块”区的半导体材料区(10)或第二绝缘体上半导体区(15)，其中在所述第一绝缘体上半导体区中，氧化物层(12)掩埋在两个半导体材料层(11，13)之间，在所述第二绝缘体上半导体区中掩埋的氧化物层比所述第一区(100)中掩埋的氧化物层薄，该方法包括提供绝缘体上半导体(SeOI)类型的衬底(1)，该衬底包括半导体材料的支撑衬底(11)、薄半导体层(13)和位于所述支撑衬底(11)和所述薄层(13)之间的掩埋氧化物层(12)，其特征在于，该方法包括以下连续的步骤：‑在所述衬底(1)中形成多个沟道(3，3’)，称为“初级沟道”，该沟道在所述薄层的自由表面(130)上开口，每个初级沟道(3，3’)在穿过所述薄层(13)和所述掩埋氧化物层(12)的深度上延伸，所述初级沟道(3，3’)被形成以界定并包围所述SeOI衬底(1)的至少一个所谓的“岛”区(30)，‑形成所谓的“分解”掩模(4，5，6)，通过沉积材料在所述初级沟道(3，3’)的内部形成所述掩模，并作为覆盖所述薄层(13)的所述自由表面(130)的位于所述岛(30)的外部的区的层，‑接着进行热处理，用于分解所述SeOI衬底的所述岛(30)上出现的掩埋氧化物层，从而减小其厚度。