[发明专利]量子阱场效应晶体管中的调制掺杂halo、用其制造的设备及其使用方法有效
| 申请号： | 201080008963.6 | 申请日： | 2010-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102326237A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | R·皮利亚里塞蒂;T·拉克施特;M·赫戴特;M·拉多萨夫杰维克;G·达维;本杰明·丘康 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汤春龙;朱海煜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在半导体装置中提供量子阱(QW)层。QW层被提供有在QW层下方的势垒结构中的铍掺杂halo层。半导体装置包含分别在QW层下方和上方的InGaAs底部势垒层和InGaAs顶部势垒层。半导体装置还包含位于栅极凹槽中InP间隔部第一层上的高k栅极电介质层。形成QW层的过程包含使用偏离切割的半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 场效应 晶体管 中的 调制 掺杂 halo 制造 设备 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管设备，包括：缓冲结构，设置在半导体衬底的上方且在其上；底部势垒结构，设置在所述缓冲结构的上方且在其上，其中所述底部势垒结构包括含InAlAs材料的底部势垒层和含铍的硅材料的调制掺杂halo层；量子阱结构，设置在所述底部势垒结构的上方且在其上；顶部势垒结构，设置在所述量子阱结构的上方且在其上；蚀刻终止层，设置在所述顶部势垒结构的上方且在其上；以及栅极接触结构，耦合到所述量子阱结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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