[发明专利]包含基本上不含呈现异常晶粒生长的碳化钨晶粒的经烧结碳化钨衬底的多晶金刚石复合体及其应用有效
| 申请号： | 201080009237.6 | 申请日： | 2010-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102333608A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 德布库玛·穆克霍帕迪艾;肯尼思·E·贝尔塔格诺里;穆罕默德·N·萨尼 | 申请（专利权）人： | 美国合成集团公司 |
| 主分类号： | B22F7/06 | 分类号： | B22F7/06;E21B10/573 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 实施方式涉及多晶金刚石复合体(“PDC”)和制造这种PDC的方法，所述多晶金刚石复合体包含基本上没有由于碳化钨晶粒的异常晶粒生长而形成的缺陷的多晶金刚石(“PCD”)台。在一个实施方式中，PDC包括含界面表面的经烧结碳化钨衬底和结合至所述经烧结碳化钨衬底的界面表面的PCD台，所述界面表面基本上不含呈现异常晶粒生长的碳化钨晶粒。所述PCD台包括限定多个间隙区域的多个结合的金刚石晶粒。所述间隙区域的至少一部分包括设置在其中的金属溶剂催化剂。所述PCD台可基本上不含铬或者所述PCD台和所述经烧结碳化钨衬底可各自包含铬。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 基本上 呈现 异常 晶粒 生长 碳化 烧结 衬底 多晶 金刚石 复合体 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种多晶金刚石复合体，包括：经烧结的碳化钨衬底，包括基本上不含呈现异常晶粒生长的碳化钨晶粒的界面表面；以及多晶金刚石台，结合至所述经烧结的碳化钨衬底的界面表面，所述多晶金刚石台包括限定多个间隙区域的多个结合的金刚石晶粒，所述间隙区域的至少一部分包括设置在其中的金属溶剂催化剂，所述多晶金刚石台基本上不含铬。
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