[发明专利]具有多孔电极的能量存储器件无效
| 申请号： | 201080009453.0 | 申请日： | 2010-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102334224A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 奥姆卡拉姆·诺拉马苏;史蒂文·维哈维伯克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01M10/04 | 分类号： | H01M10/04;H01G9/00;H01M4/00;H01G9/042 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制造具有大表面积电极的能量存储器件的方法包括：提供导电基板；在导电基板上沉积半导体层，所述半导体层是第一电极；阳极氧化所述半导体层，其中所述阳极氧化在所述半导体层中形成孔，增加所述第一电极的表面积；在所述阳极氧化之后，提供电解质和第二电极，以形成所述能量存储器件。所述基板可以是连续膜，可使用线性处理工具制造所述能量存储器件的电极。所述半导体可以是硅，沉积工具可以是热喷镀工具。而且，半导体层可以是非晶的。能量存储器件可卷绕成圆柱状。能量存储器件可以是电池、电容器或者超电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多孔 电极 能量 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种用于制造具有大表面积电极的能量存储器件的方法，包括：提供导电基板；在所述导电基板上沉积半导体层，所述半导体层是第一电极；阳极氧化所述半导体层，其中所述阳极氧化在所述半导体层中形成孔，增加所述第一电极的表面积；和在所述阳极氧化之后，提供电解质和第二电极，以形成所述能量存储器件。
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