[发明专利]降低自旋力矩转移磁阻性随机存取存储器(STT-MRAM)中的源极负载效应有效

专利信息
申请号: 201080009766.6 申请日: 2010-03-02
公开(公告)号: CN102334166A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 李康浩;升·H·康;朱晓春 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明揭示降低STT-MRAM中的源极负载效应的系统及方法。在特定实施例中,一种方法包括确定磁性隧道结(MTJ)结构的切换电流比率,所述切换电流比率使得存储器单元能够稳定操作。所述存储器单元包括串联耦合到存取晶体管的所述MTJ结构。所述方法还包括修改易发生于所述MTJ结构的自由层的偏移磁场。所述经修改的偏移磁场致使所述MTJ结构展现所述切换电流比率。
搜索关键词: 降低 自旋 力矩 转移 磁阻 随机存取存储器 stt mram 中的 负载 效应
【主权项】:
一种方法,其包含:确定磁性隧道结(MTJ)结构的切换电流比率,所述切换电流比率使得存储器单元能够稳定操作,所述存储器单元包括耦合到存取晶体管的所述MTJ结构;以及修改易发生于所述MTJ结构的自由层的偏移磁场,其中所述经修改的偏移磁场致使所述MTJ结构展现所述切换电流比率。
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