[发明专利]降低自旋力矩转移磁阻性随机存取存储器(STT-MRAM)中的源极负载效应有效
申请号: | 201080009766.6 | 申请日: | 2010-03-02 |
公开(公告)号: | CN102334166A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 李康浩;升·H·康;朱晓春 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示降低STT-MRAM中的源极负载效应的系统及方法。在特定实施例中,一种方法包括确定磁性隧道结(MTJ)结构的切换电流比率,所述切换电流比率使得存储器单元能够稳定操作。所述存储器单元包括串联耦合到存取晶体管的所述MTJ结构。所述方法还包括修改易发生于所述MTJ结构的自由层的偏移磁场。所述经修改的偏移磁场致使所述MTJ结构展现所述切换电流比率。 | ||
搜索关键词: | 降低 自旋 力矩 转移 磁阻 随机存取存储器 stt mram 中的 负载 效应 | ||
【主权项】:
一种方法,其包含:确定磁性隧道结(MTJ)结构的切换电流比率,所述切换电流比率使得存储器单元能够稳定操作,所述存储器单元包括耦合到存取晶体管的所述MTJ结构;以及修改易发生于所述MTJ结构的自由层的偏移磁场,其中所述经修改的偏移磁场致使所述MTJ结构展现所述切换电流比率。
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