[发明专利]生长于非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上的装置无效
| 申请号： | 201080010051.2 | 申请日： | 2010-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102449737A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·M·法雷尔;迈克尔·伊萨;詹姆斯·S·斯佩克;史蒂文·P·登巴尔斯;中村秀治 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于改进非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上的(Ga，Al，In，B)N薄膜的生长形态的方法，其中(Ga，Al，In，B)N薄膜直接生长于非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底或模板上，且生长期间所使用的载气的一部分由惰性气体构成。非极性或半极性氮化物LED和二极管激光器可生长于依据本发明而生长的光滑的(Ga，Al，In，B)N薄膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 极性 ga al in 衬底 装置 | ||
【主权项】：
一种用于制造(Ga，Al，In，B)N薄膜的方法，其包括：直接在非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底或模板上生长(Ga，Al，In，B)N膜；以及在所述生长步骤期间使用载气，其中所述载体的至少一部分由惰性气体构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
