[发明专利]氮化物半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201080010085.1 | 申请日： | 2010-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102341922A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 福岛康之;上田哲三 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/205;H01L33/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 氮化物半导体元件具有：以C面为生长面并且在上表面具有凹凸的第一氮化物半导体层(103)；和在第一氮化物半导体层(103)之上按照与凹凸接触的方式形成、并且为p型的第二氮化物半导体层(104)。位于凹凸的侧壁正上方的第二氮化物半导体层(104)的p型载流子浓度是1×1018/cm3以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体元件，具有：第一氮化物半导体层，其将C面作为生长面，并且在上表面具有凹凸；和第二氮化物半导体层，其在所述第一氮化物半导体层上按照与所述凹凸接触的方式形成，并且为p型，位于所述凹凸的侧壁正上方的所述第二氮化物半导体层的p型载流子浓度为1×1018/cm3以上。
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