[发明专利]反熔丝元件无效
| 申请号： | 201080010216.6 | 申请日： | 2010-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN102341904A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 中矶俊幸;竹岛裕 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H05B37/03 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 田军锋;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在电介质薄膜(5)的上下两面形成第1以及第2电极膜(4)、(6)而形成了元件主体(9)(a)。在施加动作电压时，第1以及第2电极膜(4)、(6)通过因通电引起的发热而熔融，形成球化部(13a)、(13b)、(14a)、(14b)，在电介质薄膜(5)上也产生裂缝(15)(b)。然后，该球化部膨大化，并且电介质薄膜(5)完全断开(c)，以卷入电介质薄膜(5)的端部那样的方式第1以及第2电极膜(4)、(6)熔接而一体化，形成接合部(16)、(17)、成为导通状态(d)。由此，实现即使在动作后通入大电流也以低电阻稳定地动作，并且动作前具有作为ESD对策元件的功能的反熔丝元件。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 元件 | ||
【主权项】：
一种反熔丝元件，其特征在于，具备由电介质薄膜与在该电介质薄膜的上下两面形成的电极膜构成的元件主体，所述电极膜通过在动作电压施加时产生的发热而熔融，使得该电极膜彼此熔接而电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
