[发明专利]基于二氧化锆的假体有效
| 申请号： | 201080010261.1 | 申请日： | 2010-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102341060A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 佩尔·沃特冯斯特耶恩 | 申请（专利权）人： | 南方佛斯卡专利公司 |
| 主分类号： | A61C13/09 | 分类号： | A61C13/09;A61C8/00;C04B35/486;C04B41/91;C04B41/45;C04B41/53 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陶贻丰;郑霞 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造氧化锆假体的方法，所述氧化锆被稳定化，所述方法包括以下步骤：a)在至少45MPa的压力下，将氧化锆粉末压实成期望形式的物体，b)将可蚀刻介质压紧到表面中，c)任选地将物体加工成最终形状，d)在高于1170℃的温度下烧结主体，以将氧化锆转变成四方晶体结构，以及e)使用氢氟酸蚀刻可蚀刻介质，以除去介质并提供微机械固位表面。本发明还涉及一种通过本方法制备的假体。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化锆 | ||
【主权项】：
一种制造氧化锆假体的方法，所述氧化锆被稳定化，其特征在于，所述方法包括以下步骤：a)在至少45MPa的压力下，将氧化锆粉末压实成期望形式的物体，b)将可蚀刻介质压紧到表面中，c)任选地将所述物体加工成最终形状，d)在高于1170℃的温度下烧结所述主体，以将氧化锆转变成四方晶体结构，以及e)使用氢氟酸蚀刻所述可蚀刻介质，以除去所述介质并提供微机械固位表面。
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