[发明专利]III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法

摘要

本发明提供一种III族氮化物半导体激光元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器。激光构造体(13)中，第1面(13a)为第2面(13b)的相反侧的面，第1及第2割断面(27、29)从第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。而且，在例如第1割断面(27)的一端，具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的刻划痕(SM1)，刻划痕(SM1)等具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的凹形状。割断面(27、29)并非由干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面这些目前为止的裂面不同。可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。

主权项

一种III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，包含：激光构造体，该激光构造体包括：由六方晶系III族氮化物半导体构成，且具有半极性主面的支持基体、以及设于上述支持基体的上述半极性主面上的半导体区域；以及电极，该电极设于上述激光构造体的上述半导体区域上，上述半导体区域包括：由第1导电型氮化镓系半导体构成的第1包覆层、由第2导电型氮化镓系半导体构成的第2包覆层、以及设于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间的活性层，上述第1包覆层、上述第2包覆层及上述活性层沿着上述半极性主面的法线轴排列，上述活性层包含氮化镓系半导体层，上述支持基体的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴，相对于上述法线轴向上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴方向以有限的角度ALPHA倾斜，上述角度ALPHA在45度以上80度以下、或100度以上135度以下的范围，上述激光构造体包含与由上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴及上述法线轴规定的m‑n面交叉的第1及第2割断面，该III族氮化物半导体激光元件的激光谐振器包含上述第1及第2割断面，上述激光构造体包含第1及第2面，上述第2面为上述第1面的相反侧的面，上述半导体区域位于上述第1面与上述支持基体之间，上述第1及第2割断面分别从上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘，上述激光构造体在上述第1割断面的一端，具有从上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘的刻划痕，上述刻划痕具有从上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘的凹形状。