[发明专利]用于互连应用的冗余金属阻挡结构有效

专利信息
申请号: 201080010491.8 申请日: 2010-04-09
公开(公告)号: CN102341903A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: T·M·肖;C-C·杨 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 于静;杨晓光
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供一种用于互连结构的冗余金属扩散阻挡层,其改善了互连结构的可靠性和可扩展性。所述冗余金属扩散阻挡层位于开口内,所述开口位于介电材料内,并且所述冗余金属扩散阻挡层位于扩散阻挡层与导电材料之间,所述扩散阻挡层和所述导电材料也存在于所述开口内。所述冗余扩散阻挡层包括单层或多层结构,其包括Ru和含Co材料,所述含Co材料包括纯Co或Co合金,所述Co合金包含N、P和B中的至少一者。
搜索关键词: 用于 互连 应用 冗余 金属 阻挡 结构
【主权项】:
一种半导体结构,包括:介电材料,其具有约4.0或更小的介电常数并位于衬底上方,所述介电材料具有位于其中的至少一个开口;扩散阻挡层,其位于所述至少一个开口中;冗余扩散阻挡层,其包括Ru和含Co材料并位于所述至少一个开口中的所述扩散阻挡层上;以及导电材料,其位于所述至少一个开口中的所述冗余扩散阻挡层的顶上,其中所述扩散阻挡层、所述冗余扩散阻挡层、以及所述导电材料各自具有与所述介电材料的上表面共面的上表面。
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