[发明专利]用于互连应用的冗余金属阻挡结构有效
申请号: | 201080010491.8 | 申请日: | 2010-04-09 |
公开(公告)号: | CN102341903A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | T·M·肖;C-C·杨 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 于静;杨晓光 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种用于互连结构的冗余金属扩散阻挡层,其改善了互连结构的可靠性和可扩展性。所述冗余金属扩散阻挡层位于开口内,所述开口位于介电材料内,并且所述冗余金属扩散阻挡层位于扩散阻挡层与导电材料之间,所述扩散阻挡层和所述导电材料也存在于所述开口内。所述冗余扩散阻挡层包括单层或多层结构,其包括Ru和含Co材料,所述含Co材料包括纯Co或Co合金,所述Co合金包含N、P和B中的至少一者。 | ||
搜索关键词: | 用于 互连 应用 冗余 金属 阻挡 结构 | ||
【主权项】:
一种半导体结构,包括:介电材料,其具有约4.0或更小的介电常数并位于衬底上方,所述介电材料具有位于其中的至少一个开口;扩散阻挡层,其位于所述至少一个开口中;冗余扩散阻挡层,其包括Ru和含Co材料并位于所述至少一个开口中的所述扩散阻挡层上;以及导电材料,其位于所述至少一个开口中的所述冗余扩散阻挡层的顶上,其中所述扩散阻挡层、所述冗余扩散阻挡层、以及所述导电材料各自具有与所述介电材料的上表面共面的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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