[发明专利]CMP方法有效
| 申请号： | 201080010689.6 | 申请日： | 2010-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN102341896A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | T·L·麦克德维特;E·沙;M·T·蒂尔奇;G·M·巴斯;E·J·怀特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈文平;尚继栋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为一种研磨基板的方法，该方法包括以下步骤：将具有至少一个含铜金属层的基板与化学机械研磨组合物接触。该CMP组合物包含研磨剂、表面活性剂、氧化剂、包括聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸在内的有机酸、腐蚀抑制剂及液体载体。磨耗该金属层中的铜的一部分以研磨该基板。第二CMP组合物接触该经磨耗的基板，该第二无丙烯酸酯的组合物包含研磨剂、表面活性剂、氧化剂、腐蚀抑制剂及液体载体。通过磨耗除去任何可能已形成在该基板上的树枝晶体。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 方法 | ||
【主权项】：
一种研磨基板的方法，其包括以下步骤：(i)将包含至少一个含铜的金属层的基板与第一化学机械研磨组合物接触，该组合物包含：研磨剂、表面活性剂、氧化剂、包括聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸的有机酸、腐蚀抑制剂及液体载体；(ii)磨耗该含铜金属层的至少一部分以研磨该基板；(iii)用第二无丙烯酸酯的化学机械研磨组合物接触来自步骤(ii)的经磨耗的基板，该第二化学机械研磨组合物包含：研磨剂、表面活性剂、氧化剂、腐蚀抑制剂及液体载体；及(iv)通过磨耗除去可能已形成在该基板上的树枝晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080010689.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
