[发明专利]使用相变器件的三元内容可寻址存储器有效

专利信息
申请号: 201080010880.0 申请日: 2010-01-26
公开(公告)号: CN102341863A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: C·H·拉姆;R·K·蒙托耶;B·拉詹德朗;B·季 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G11C15/04 分类号: G11C15/04
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 吴立明
地址: 美国纽*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种内容可寻址存储器器件,具有存储高、低和随意这些三元数据值的多个存储器单元。内容可寻址存储器器件的一个方面在于存储器单元中的第一存储器元件和第二存储器元件的使用。第一存储器元件和第二存储器元件在并联电路中电耦合到匹配线。第一存储器元件耦合到第一字线,第二存储器元件耦合到第二字线。第一存储器元件配置用于在三元数据值为低的情况下存储低阻态以及在三元数据值为高或者随意的情况下存储高阻态。第二存储器元件配置用于在三元数据值为高的情况下存储低阻态,以及在三元数据值为低或者随意的情况下存储高阻态。
搜索关键词: 使用 相变 器件 三元 内容 寻址 存储器
【主权项】:
一种用于存储三元数据值的内容可寻址存储器阵列中的存储器单元,所述三元数据值为低、高和随意之一,所述存储器单元包括:第一存储器元件,配置用于在所述三元数据值为低的情况下存储低阻态,以及在所述三元数据值为高或者随意的情况下存储高阻态,所述高阻态在阻抗上比所述低阻态高至少一个量级;第二存储器元件,配置用于在所述三元数据值为高的情况下存储所述低阻态,以及在所述三元数据值为低或者随意的情况下存储所述高阻态;以及匹配线,其在并联电路中电耦合所述第一存储器元件和所述第二存储器元件。
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