[发明专利]等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201080011018.1 申请日: 2010-03-10
公开(公告)号: CN102349356A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 节原裕一;江部明宪 申请(专利权)人: EMD株式会社
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;C23C16/505;H01L21/205;H01L21/3065
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 雒运朴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种等离子体处理装置,其能够在真空容器内形成强的感应电磁场,且能够防止天线导体的溅射或温度上升及颗粒的产生。本发明的等离子体处理装置(10)具备:真空容器(11);高频天线(21),其配置于所述真空容器(11)的壁的内面(111A)和外面(111B)之间;电介质制成的分隔件(16),其将所述高频天线(21)和所述真空容器(11)的内部加以隔开。由此,与外部天线方式相比,能够在真空容器(11)内形成强感应电磁场。另外,利用分隔件(16)能够抑制由真空容器(11)内生成的等离子体引起的高频天线(21)被溅射或高频天线(21)的温度上升及颗粒产生。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置
【主权项】:
一种等离子体处理装置,其特征在于,具备:a)真空容器;b)天线配置部,其设置于所述真空容器的壁的内面和外面之间、且是设置于该内面和外面之间的空洞;c)高频天线,其配置于所述天线配置部;d)电介质制的分隔件,其将所述天线配置部和所述真空容器的内部隔开;e)盖,其设置于所述天线配置部的所述外面侧。
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