[发明专利]用于使用与导电通孔的无掩模背侧对准制作半导体组件的方法有效
| 申请号： | 201080011143.2 | 申请日： | 2010-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102349140A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李劲;江同必 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/02;H01L21/68;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制作半导体组件(90)的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有电路侧(54)、背侧(56)及若干导电通孔(58)的半导体衬底(52)；从所述背侧(56)移除所述衬底(52)的若干部分以暴露所述导电通孔(58)的端子部分(76)；在所述背侧(56)上沉积聚合物层(78)以囊封所述端子部分(76)；及接着对所述聚合物层(78)及所述端子部分(76)的末端进行平面化以形成嵌入于所述聚合物层(78)中的若干自对准导体。还可形成与所述导电通孔(58)电接触的额外背侧元件，例如端子触点(86)及背侧再分布导体(88)。半导体组件(90)包括所述半导体衬底(52)、所述导电通孔(58)及嵌入于所述聚合物层(78)中的所述背侧导体。堆叠式半导体组件(96)包括具有彼此电连通的经对准导电通孔(58)的多个组件(90-1、90-2、90-3)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 导电 无掩模背侧 对准 制作 半导体 组件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作半导体组件的方法，其包含：提供具有电路侧、背侧及多个导电通孔的半导体衬底；从所述背侧移除所述衬底的若干部分以暴露所述导电通孔的端子部分；在所述背侧上沉积聚合物层以囊封所述端子部分；及对所述聚合物层及所述端子部分进行平面化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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