[发明专利]磁阻传感器中的温度和漂移补偿有效
申请号: | 201080011846.5 | 申请日: | 2010-03-10 |
公开(公告)号: | CN102356329A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | D·A·豪尔;R·加斯特;S·J·奥斯特费尔德;S·X·王 | 申请(专利权)人: | 利兰·斯坦福青年大学托管委员会 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R33/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 亓云 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 磁阻传感器的双重调制需要调制对传感器施加的激励(例如,电压或电流)以及对传感器施加的反馈磁场两者。分别在不同的频率fc和ff处调制该激励和磁场。作为双重调制的结果,传感器输出频谱包括频率fc处的载波频调(CT)和频率fc±ff处的侧频调(ST)。(例如,通过测量在不存在样本的情况下出现漂移时的CT振幅和ST振幅来)确定CT振幅与ST振幅之间的基线关系。在传感器操作期间,使用相应的原始CT测量来校正原始ST测量以将经校正的ST测量提供为传感器输出。 | ||
搜索关键词: | 磁阻 传感器 中的 温度 漂移 补偿 | ||
【主权项】:
一种磁阻传感器装置,包括:a)磁阻传感器;b)提供具有调制频率ff的反馈磁场的磁场源,其中所述磁阻传感器置于所述反馈磁场中;c)电源,配置成向所述磁阻传感器提供具有调制频率fc的激励,其中ff和fc是不同的,并且其中所述传感器的输出频谱包括频率fc处的载波频调(CT)和频率fc±ff处的侧频调(ST);以及d)处理器,配置成确定所述输出频谱中的CT振幅与ST振幅之间的基线关系;其中所述装置被配置成使用所述基线关系和相应的CT测量来校正原始ST测量以将经校正的ST测量提供为输出。
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