[发明专利]磁阻传感器中的温度和漂移补偿有效

专利信息
申请号: 201080011846.5 申请日: 2010-03-10
公开(公告)号: CN102356329A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: D·A·豪尔;R·加斯特;S·J·奥斯特费尔德;S·X·王 申请(专利权)人: 利兰·斯坦福青年大学托管委员会
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01R33/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 亓云
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 磁阻传感器的双重调制需要调制对传感器施加的激励(例如,电压或电流)以及对传感器施加的反馈磁场两者。分别在不同的频率fc和ff处调制该激励和磁场。作为双重调制的结果,传感器输出频谱包括频率fc处的载波频调(CT)和频率fc±ff处的侧频调(ST)。(例如,通过测量在不存在样本的情况下出现漂移时的CT振幅和ST振幅来)确定CT振幅与ST振幅之间的基线关系。在传感器操作期间,使用相应的原始CT测量来校正原始ST测量以将经校正的ST测量提供为传感器输出。
搜索关键词: 磁阻 传感器 中的 温度 漂移 补偿
【主权项】:
一种磁阻传感器装置,包括:a)磁阻传感器;b)提供具有调制频率ff的反馈磁场的磁场源,其中所述磁阻传感器置于所述反馈磁场中;c)电源,配置成向所述磁阻传感器提供具有调制频率fc的激励,其中ff和fc是不同的,并且其中所述传感器的输出频谱包括频率fc处的载波频调(CT)和频率fc±ff处的侧频调(ST);以及d)处理器,配置成确定所述输出频谱中的CT振幅与ST振幅之间的基线关系;其中所述装置被配置成使用所述基线关系和相应的CT测量来校正原始ST测量以将经校正的ST测量提供为输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于利兰·斯坦福青年大学托管委员会,未经利兰·斯坦福青年大学托管委员会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080011846.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top