[发明专利]成形体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备有效
| 申请号： | 201080012283.1 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102356122A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 铃木悠太;近藤健;星慎一 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | C08J7/00 | 分类号： | C08J7/00;B32B27/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 庞立志;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是成形体，其是具有由至少含有氧原子和硅原子的材料构成的阻气层的成形体，其特征在于，相对于上述阻气层的表层部中的氧原子、氮原子和硅原子的存在总量，氧原子的存在比例为60～75%，氮原子的存在比例为0～10%，硅原子的存在比例为25～35%，且上述阻气层的表层部的膜密度为2.4～4.0g/cm3；上述成形体的制造方法，其具有在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的成形物的、上述含有聚硅氮烷化合物的层的表面部注入离子的工序；包含上述成形体的电子设备用构件；具有上述电子设备用构件的电子设备。根据本发明，可以提供具有优异的阻气性能、耐弯折性优异且透明性良好的成形体、其制造方法，包含该成形体的电子设备用构件和具有该电子设备用构件的电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 成形 制造 方法 电子 备用 构件 电子设备 | ||
【主权项】：
成形体，其是具有由至少含有氧原子和硅原子的材料构成的阻气层的成形体，其特征在于，相对于上述阻气层的表层部中的氧原子、氮原子和硅原子的存在总量，氧原子的存在比例为60～75%，氮原子的存在比例为0～10%，硅原子的存在比例为25～35%，且上述阻气层的表层部的膜密度为2.4～4.0g/cm3。
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