[发明专利]蚀刻液的处理装置以及处理方法有效
| 申请号： | 201080012806.2 | 申请日： | 2010-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102356454A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 小森英之;织田信博 | 申请（专利权）人： | 栗田工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B01D61/02;B01D61/14;C02F1/44;H01L31/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;洪燕 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可使蚀刻液的更换频率减少，并且还防止杂质混入处理后的蚀刻液中的蚀刻液的处理装置及蚀刻液的处理方法。对蚀刻处理硅后的蚀刻液进行循环再利用的蚀刻液的处理装置，具有：对来自蚀刻槽(2)的蚀刻液进行膜处理的膜分离装置(3)；及使该膜分离装置(3)的膜透过液在该蚀刻槽进行循环的循环装置(6)。前述膜分离装置(3)具有UF膜模块(4)和NF膜模块(5)。也可在膜透过液添加碱及有机物。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻液的处理装置，是对蚀刻处理硅后的蚀刻液进行循环再利用的蚀刻液的处理装置，其特征在于，具有：膜分离装置，对来自蚀刻槽的蚀刻液进行膜分离处理的；以及循环装置，使该膜分离装置的膜透过液在该蚀刻槽循环。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于栗田工业株式会社，未经栗田工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080012806.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
