[发明专利]附配线基板的太阳能电池单元、太阳能电池组件及附配线基板的太阳能电池单元的制造方法无效

专利信息
申请号: 201080012960.X 申请日: 2010-03-08
公开(公告)号: CN102362363A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 三上塁;安彦义哉;森井浩二郎;里村雅史;冈田英生 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 葛青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种附配线基板的太阳能电池单元、太阳能电池组件及附配线基板的太阳能电池单元的制造方法。该附配线基板的太阳能电池单元的制造方法包括将背面电极型太阳能电池单元(8)的至少部分边缘部粘接在配线基板(10)上的暂时固定工序;该太阳能电池组件的制造方法包括利用封装材料(18)将通过上述方法得到的附配线基板的太阳能电池单元封装在透明基板(17)上的工序;所述附配线基板的太阳能电池单元在背面电极型太阳能电池单元(8)与配线基板(10)之间设置第一粘接材料,并且在背面电极型太阳能电池单元(8)的至少部分边缘部上设置用于粘接背面电极型太阳能电池单元(8)和配线基板(10)的第二粘接材料;所述太阳能电池组件利用封装材料(18)将该附配线基板的太阳能电池单元封装在透明基板(17)上。
搜索关键词: 附配线基板 太阳能电池 单元 组件 制造 方法
【主权项】:
一种附配线基板的太阳能电池单元的制造方法,所述附配线基板的太阳能电池单元具备背面电极型太阳能电池单元(8)和配线基板(10),所述背面电极型太阳能电池单元(8)具有:形成了第一导电型杂质扩散区域(2)及第二导电型杂质扩散区域(3)的半导体基板(1)、与所述第一导电型杂质扩散区域(2)对应而形在所述半导体基板(1)的一面侧上的第一导电型用电极(6)、及与所述第二导电型杂质扩散区域(3)对应而形成在所述半导体基板(1)的所述一面侧上的第二导电型用电极(7);所述配线基板(10)具有:绝缘基体材料(11)、和设置在所述绝缘基体材料(11)上的第一导电型用配线(12,12a)及第二导电型用配线(13,13a),所述附配线基板的太阳能电池单元的制造方法包括下述工序:设置工序,在所述配线基板(10)上设置所述背面电极型太阳能电池单元(8),使得所述背面电极型太阳能电池单元(8)的所述第一导电型用电极(6)设置在所述配线基板(10)的所述第一导电型用配线(12,12a)上、并且使所述背面电极型太阳能电池单元(8)的所述第二导电型用电极(7)设置在所述配线基板(10)的所述第二导电型用配线(13,13a)上;以及暂时固定工序,将所述背面电极型太阳能电池单元(8)的至少部分边缘部粘接在所述配线基板(10)上。
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