[发明专利]发光二极管无效

专利信息
申请号: 201080012971.8 申请日: 2010-03-15
公开(公告)号: CN102362348A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 马蒂亚斯·扎巴蒂尔;西蒙·科楚尔;斯特凡·格勒奇 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/08;H01L33/22;H01L33/58
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王萍;李春晖
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明提出了一种发光二极管,其具有:包括被电接触的至少一个有源区(11)的第一半导体本体(10),其中在发光二极管的工作中在有源区(11)中产生第一波长范围的电磁辐射(110);以及在第一半导体本体(10)的上侧(10a)固定在第一半导体本体(10)上的第二半导体(20),其中第二半导体(20)具有带有多量子阱结构(213)的再发射区域(21),并且其中在发光二极管的工作中在再发射区域(21)中吸收第一波长范围的电磁辐射(110)并且再发射第二波长范围的电磁辐射(220);以及设置在第一半导体本体(10)和第二半导体本体(20)之间的连接材料(30),其中连接材料(30)将第一半导体本体(10)和第二半导体本体(20)以机械方式彼此连接。
搜索关键词: 发光二极管
【主权项】:
一种发光二极管,其具有‑第一半导体本体(10),该第一半导体本体包括被电接触的至少一个有源区(11),其中在发光二极管的工作中在所述有源区(11)中产生第一波长范围的电磁辐射(110),以及‑第二半导体本体(20),该第二半导体本体在第一半导体本体(10)的上侧(10a)固定在第一半导体本体(10)上,其中第二半导体本体(20)具有带有多量子阱结构(213)的再发射区域(21),并且其中在发光二极管的工作中在再发射区域(21)中吸收第一波长范围的电磁辐射(110)并且再发射第二波长范围(220)的电磁辐射,以及‑连接材料(30),该连接材料设置在第一半导体本体(10)和第二半导体本体(20)之间,其中连接材料(30)将第一半导体本体(10)和第二半导体本体(20)以机械方式彼此连接。
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