[发明专利]发光二极管无效
申请号: | 201080012971.8 | 申请日: | 2010-03-15 |
公开(公告)号: | CN102362348A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 马蒂亚斯·扎巴蒂尔;西蒙·科楚尔;斯特凡·格勒奇 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/08;H01L33/22;H01L33/58 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;李春晖 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明提出了一种发光二极管,其具有:包括被电接触的至少一个有源区(11)的第一半导体本体(10),其中在发光二极管的工作中在有源区(11)中产生第一波长范围的电磁辐射(110);以及在第一半导体本体(10)的上侧(10a)固定在第一半导体本体(10)上的第二半导体(20),其中第二半导体(20)具有带有多量子阱结构(213)的再发射区域(21),并且其中在发光二极管的工作中在再发射区域(21)中吸收第一波长范围的电磁辐射(110)并且再发射第二波长范围的电磁辐射(220);以及设置在第一半导体本体(10)和第二半导体本体(20)之间的连接材料(30),其中连接材料(30)将第一半导体本体(10)和第二半导体本体(20)以机械方式彼此连接。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种发光二极管,其具有‑第一半导体本体(10),该第一半导体本体包括被电接触的至少一个有源区(11),其中在发光二极管的工作中在所述有源区(11)中产生第一波长范围的电磁辐射(110),以及‑第二半导体本体(20),该第二半导体本体在第一半导体本体(10)的上侧(10a)固定在第一半导体本体(10)上,其中第二半导体本体(20)具有带有多量子阱结构(213)的再发射区域(21),并且其中在发光二极管的工作中在再发射区域(21)中吸收第一波长范围的电磁辐射(110)并且再发射第二波长范围(220)的电磁辐射,以及‑连接材料(30),该连接材料设置在第一半导体本体(10)和第二半导体本体(20)之间,其中连接材料(30)将第一半导体本体(10)和第二半导体本体(20)以机械方式彼此连接。
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