[发明专利]In-Ga-Zn-O系溅射靶有效
| 申请号： | 201080013169.0 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102362004A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 矢野公规;糸濑将之 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;C23C14/08;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 翟赟琪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种溅射靶，其由氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体含有In、Ga以及Zn，并且具备In的含量比周围多的组织、和Ga以及Zn的含量比周围多的组织。 | ||
| 搜索关键词： | in ga zn 溅射 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其由氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体含有In、Ga以及Zn，并且具备与周围相比In的含量多的组织、和与周围相比Ga以及Zn的含量多的组织。
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