[发明专利]用于在光聚合物表面上产生光掩模的工艺有效
申请号: | 201080013570.4 | 申请日: | 2010-01-27 |
公开(公告)号: | CN102365584A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 摩西·夫伦克尔;亚科夫·马祖兹;奥列格·布瑞森;纳塔莉亚·伊万诺娃 | 申请(专利权)人: | 迪吉福来克斯有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;B41C1/10 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 杨洲;郑霞 |
地址: | 以色列*** | 国省代码: | 以色列;IL |
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摘要: | 提供了一种在光聚合物表面上印刷高分辨率图案的工艺。 | ||
搜索关键词: | 用于 聚合物 表面上 生光 工艺 | ||
【主权项】:
一种用于在光聚合物表面上产生光掩模的工艺,所述工艺包括提供光聚合物表面,所述光聚合物表面任选地已经被具有至少一种活性组分的膜涂覆,在所述表面(或膜)上直接印刷至少一种油墨,以由此影响多个油墨液滴固定为油墨网点,以在所述表面(或膜)上形成图案,所述图案是吸收UV的。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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