[发明专利]组态及制造具有沿着源极/漏极区带的带有经裁制袋部的非对称场效应晶体管的半导体结构

摘要

提供了一种沿包含第一和第二源极/漏极区带的半导体主体的上方表面设置的非对称绝缘栅场效应晶体管，该第一和第二源极/漏极区带被晶体管主体材料的沟道区带横向分离。栅极电极置于沟道区带上方的栅极介电层上。主体材料的袋部的掺杂程度重于主体材料的横向相邻材料，该袋部大部分仅沿S/D区带中的第一S/D区带延伸且延伸进沟道区带中。袋部的垂直掺杂轮廓被裁制以在彼此间隔分开的各自位置达到多数个局部最大值。通常进行裁制以使得袋部的垂直掺杂轮廓在上方半导体表面附近非常平坦。因此，该裁制减少了漏电流。

主权项

一种结构，其包括沿着具有掺杂着第一导电类型半导体掺杂物的主体材料的半导体主体的上方表面设置的场效应晶体管，所述晶体管包括：所述主体材料的沟道区带；第一与第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着所述半导体主体的上方表面位于所述半导体主体中、被所述沟道区带横向分离且为和所述第一导体类型相反的第二导体类型，以便与所述主体材料形成个别的pn结；所述主体材料中掺杂程度重于所述主体材料的横向相邻材料的袋部大部分仅沿着所述S/D区带中的所述第一S/D区带延伸并延伸到所述沟道区带中，其实质上向上延伸到所述主体的上方表面，因而让所述沟道区带不对称于所述S/D区带；所述第一导体类型的掺杂物的浓度在各自位置处达到多数个局部最大值，所述各自位置(i)沿着延伸穿过大体上垂直于所述主体的上方表面的所述主体材料的虚拟直线而在所述主体材料中彼此隔开，(ii)大体上横向延伸整个所述袋部，及(iii)实质上与所述第二S/D区带隔开，以便让所述袋部的净掺杂物浓度在所述袋部中彼此隔开的各自位置处达到相同多数个分别对应的局部最大值；槛极介电层，其叠置在所述沟道区带上方；以及槛极电极，其叠置在所述沟道区带上方的所述槛极介电层上。