[发明专利]在沟槽栅FET的栅电极上形成自对准硅化物的结构和方法

摘要

一种用于形成沟槽栅FET的方法包括下面步骤。形成延伸至半导体区域中的多个沟槽。形成沿每个沟槽的相对侧壁并且在半导体区域的位于相邻沟槽之间的台面上延伸的栅极电介质。在每个沟槽中形成通过栅极电介质与半导体区域绝缘的栅电极。在半导体区域中形成第二导电型的阱区。在阱区的上方部分中形成第一导电型的源区。在形成源区之后，在每个沟槽中的栅电极上形成邻接栅极电介质的一部分的自对准硅化物层。栅极电介质防止在半导体区域的位于相邻沟槽之间的台面上形成自对准硅化物层。

主权项

一种沟槽栅FET结构的形成方法，所述方法包括：形成延伸至半导体区域中的多个沟槽；形成沿每个沟槽的相对侧壁且在所述半导体区域的位于相邻沟槽之间的台面上延伸的栅极电介质；在每个沟槽中形成栅电极；在所述半导体区域中形成第二导电型的阱区；在所述阱区的上方部分中形成第一导电型的源区；以及在形成所述源区之后，在每个沟槽中的所述栅电极上形成邻接所述栅极电介质的一部分的包含钴或镍中的至少一种的自对准硅化物层，其中，所述栅极电介质防止在所述半导体区域的位于相邻沟槽之间的所述台面上形成所述自对准硅化物层。