[发明专利]具有由多重局部浓度最大值所定义的源极/漏极延伸区的场效应晶体管的结构和制造

摘要

本发明提供一种绝缘栅场效应晶体管(100W)，其具有源极(980)与漏极(242)，该源极与漏极会被半导体主体的主体材料(180)的沟道区带(244)横向分离。栅极电极(262)会上覆在该沟道区带上方的栅极介电层(260)上。主体材料中的较重度掺杂袋部(250)通常主要仅沿着该源极延伸，因此该IGFET是非对称装置。该源极具有主要源极部(980M)及较轻度掺杂的横向源极延伸区(980E)。定义该源极的半导体掺杂物会抵达多个局部浓度最大值以定义该源极延伸区。利用抵达此两个局部浓度最大值的半导体掺杂物来定义该源极延伸区所涉及的程序仅在两个源极/漏极延伸区掺杂操作中便能定义三个绝缘栅场效应晶体管中彼此具有不同特征的源极/漏极延伸区。

主权项

一种结构，其包括沿着具有第一导电类型主体材料的半导体主体的上方表面设置的场效应晶体管，该晶体管包括：该主体材料的沟道区带；第一与第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着该半导体主体的上方表面位于该半导体主体中，被该沟道区带横向分离且掺杂与第一导电类型相反的第二导电类型的半导体掺杂物，使得该S/D区带为第二导电类型以便与该主体材料形成各自的pn结；栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及栅极电极，其上覆该沟道区带上方的该栅极介电层，该第一S/D区带包括第一主要S/D部及较轻度掺杂的第一横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的第一横向S/D延伸区会横向接续该第一主要S/D部且横向延伸在该栅极电极的下方，该第二导电类型的掺杂物的浓度会在该第一S/D区带中局部达到至少三个子表面最大浓度，使得(i)该第一S/D区带中至少一个该子表面最大浓度会伴随大部分定义该第一主要S/D部的掺杂物分布，和(ii)该第一S/D区带中至少两个子表面最大浓度会伴随大部分定义该第一S/D延伸区的掺杂物分布。