[发明专利]组态和制造其中非单结晶半导体间隔部分控制基极链长的具有双极面结型晶体管的半导体结构

摘要

本发明提供一种半导体结构含有双极晶体管(101)及间隔结构(265-1或265-2)。该晶体管具有射极(241)、基极(243)、及集极(245)。该基极包含：基极接点部(243C-1)；本质基极部(243I-1)，其位于该射极的下方和该集极的材料的上方；及基极链部(243L-1)，其会延伸在该本质基极部与基极接点部之间。该间隔结构包含间隔结构及沿着该上方半导体表面延伸的隔离介电层(267-1或267-2)。该间隔组件包含由位于该基极链部上方的介电层上的大部分为非单结晶半导体材料(优选地为多重结晶半导体材料)的横向间隔部分(269-1或269-2)。该横向间隔部分的相反第一下方边缘与第二下方边缘(305-1与307-1)会横向保形于该基极链部的相反的第一上方边缘与第二上方边缘(297-1与299-1)，以便决定且从而控制其长度。

主权项

一种半导体结构，其包括：主要双极结晶体管(BJT)，其包括作为具有上方表面的半导体主体的各自区带的主要基极、主要射极、及主要集极，所述基极为第一导体类型且包括：(i)主要本质基极部，其位于所述射极的下方及所述集极的材料之上，(ii)主要基极接点部，其会延伸至所述主体的上方表面，和(iii)主要基极链部，其会延伸在所述本质基极部与基极接点部之间，所述射极与集极是和所述第一导体类型相反的第二导体类型且借由所述基极而彼此分离，以便与所述基极形成各自的主要pn结，所述射极会延伸到所述主体的上方表面且借由所述基极链部来与所述基极接点部横向分离；以及主要间隔结构，其包括：(i)主要隔离介电层，其位于所述主体的上方表面上，及(ii)主要间隔组件，其包括位于所述基极链部上方的介电层上的大部分为非单结晶半导体材料的主要横向间隔部分，所述基极链部的大部分相反的第一上方边缘与第二上方边缘大部分会横向保形于所述横向间隔部分的各自大部分相反的第一下方边缘与第二下方边缘。