[发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法、半导体基板的判定方法以及电子器件无效
| 申请号： | 201080014373.4 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102369594A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 中野强 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供改善了电压-电流特性线性度的高性能化合物半导体外延基板、其制造方法及其判定方法。提供一种半导体基板，具备：生成二维载流子气体的化合物半导体；对该化合物半导体供给载流子的载流子供给半导体；以及迁移率降低半导体，其配置于该化合物半导体与该载流子供给半导体之间，并具有使载流子的迁移率小于该化合物半导体中的载流子的迁移率的迁移率降低因素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 判定 以及 电子器件 | ||
【主权项】：
一种半导体基板，具备：化合物半导体，其生成二维载流子气体；载流子供给半导体，其对所述化合物半导体供给载流子；以及迁移率降低半导体，其配置于所述化合物半导体与所述载流子供给半导体之间，且具有使所述载流子的迁移率小于所述化合物半导体中的所述载流子的迁移率的迁移率降低因素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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