[发明专利]氮化物半导体的结晶生长方法和半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201080014405.0 | 申请日： | 2010-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102369590A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 藤金正树;井上彰;加藤亮;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实行如下工序：将至少在上表面具有-r面氮化物半导体结晶的基板配置在反应室内的工序(S1)；将反应室内的基板进行加热，而使基板的温度上升的升温工序(S2)；在基板上使氮化物半导体层生长的生长工序(S3)。在升温工序(S2)中，将氮气源和III族元素气源供给到反应室内。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结晶 生长 方法 装置 制造 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体层的形成方法，是通过有机金属气相沉积法使氮化物半导体层生长的氮化物半导体层的形成方法，其特征在于，包括：将至少在上表面具有表面为‑r面的氮化物半导体结晶的基板配置在反应室内的工序(S1)；将所述反应室内的所述基板进行加热，而使所述基板的温度上升的升温工序(S2)；所述升温工序(S2)之后在所述基板上使氮化物半导体层生长的生长工序(S3)，并且，所述升温工序(S2)包括将氮气源和III族元素气源供给到所述反应室内的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
