[发明专利]具有大表面面积的接地限制环有效
申请号: | 201080014577.8 | 申请日: | 2010-04-06 |
公开(公告)号: | CN102379029A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 阿列克谢·马拉赫塔诺夫;拉金德尔·德辛德萨 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H05H1/24 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了与驱动器和材料供应源联用的晶片处理系统。所述驱动器可操作地产生驱动信号。所述材料供应源可操作地提供材料。所述晶片处理系统包括上限制腔部分、下限制腔部分、限制环和静电卡盘。所述上限制腔部分含有上限制腔部分内表面。所述下限制腔部分被配置为可拆分地与所述上限制腔部分接触。所述下限制腔部分含有下限制腔部分内表面。所述限制环被配置为可拆分地与所述上限制腔部分内表面和所述下限制腔部分内表面接触。所述限制环含有限制环内表面。所述静电卡盘含有静电卡盘上表面并被设置为接收所述驱动信号。所述上限制腔部分、所述下限制腔部分、所述限制环和所述静电卡盘被设置为使得所述上限制腔部分内表面、所述下限制腔部分内表面、所述限制环内表面和所述静电卡盘上表面围绕能够接收所述材料的等离子体形成空间。当所述静电卡盘收到所述驱动信号时,所述上限制腔部分、所述下限制腔部分、所述限制环和所述静电卡盘可操作地将所述材料转换为等离子体。所述限制环含有非矩形横截面。 | ||
搜索关键词: | 具有 表面 面积 接地 限制 | ||
【主权项】:
与驱动器和材料供应源联用的晶片处理系统,所述驱动器可操作地产生驱动信号,所述材料供应源可操作地提供材料,所述晶片处理系统包括:上限制腔部分,其含有上限制腔部分内表面;下限制腔部分,其被配置为与所述上限制腔部分可拆分地接触,所述下限制腔部分含有下限制腔部分内表面;限制环,其被配置为可移动地与所述上限制腔部分内表面和所述下限制腔部分内表面接触,所述限制环含有限制环内表面;和静电卡盘,其含有静电卡盘上表面并被设置为接收所述驱动信号,其中,所述上限制腔部分、所述下限制腔部分、所述限制环和所述静电卡盘被设置为使得所述上限制腔部分底表面、所述下限制腔部分顶表面、所述限制环内表面和所述静电卡盘上表面围绕能够接收所述材料的等离子体形成空间,其中,当所述静电卡盘接收到所述驱动信号时,所述上限制腔部分、所述下限制腔部分、所述限制环和所述静电卡盘可操作地将所述材料转换为等离子体,并且其中,所述限制环含有非矩形的横截面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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